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①高質(zhì)量的高折射率差硅基SiOx集成光波導(dǎo)材料基礎(chǔ)薄弱。

國(guó)外生長(zhǎng)硅基SiOx集成光波導(dǎo)材料的方式主要有兩種：以歐美為代表的化學(xué)氣相沉積法（PECVD），以日本、韓國(guó)為代表的火焰水解法（FHD）。

PECVD法精度較高，操控性好；FHD法生長(zhǎng)速率快，產(chǎn)業(yè)化效率更高，二者各有優(yōu)缺點(diǎn)，而國(guó)內(nèi)缺乏相關(guān)應(yīng)用基礎(chǔ)研究；

②芯片工藝水平達(dá)不到芯片產(chǎn)業(yè)化要求，特別是在整張晶圓的均勻性、穩(wěn)定性方面，如二氧化硅厚膜的高深寬比和低損耗刻蝕工藝；

③在產(chǎn)業(yè)和市場(chǎng)導(dǎo)向上，過(guò)去偏重于買，拿市場(chǎng)換技術(shù)。

④此前國(guó)內(nèi)研發(fā)環(huán)節(jié)較為薄弱，這就導(dǎo)致相當(dāng)一部分高端光芯片還需要依賴進(jìn)口。

⑤需要綜合掌握外延、微納加工、封裝、可靠性等多領(lǐng)域技術(shù)工藝，并加以整合集成，屬于技術(shù)密集型行業(yè)。